SK하이닉스가 알루미나 기반 신소재 ‘High-K EMC’를 적용한 고방열 모바일 D램을 세계 최초로 개발, 온디바이스 AI 확산에 따른 발열 문제 해결의 새 대안을 제시했다. [사진 = SK하이닉스]

[이코노미 트리뷴 = 기자명] 28일 SK하이닉스가 업계 최초로 신소재 ‘High-K EMC(에폭시 몰딩 컴파운드)’를 적용한 고방열 모바일 D램을 개발해 글로벌 고객사에 공급을 시작했다.

온디바이스 AI(스마트폰·PC 등 기기 자체에서 AI 연산을 수행하는 기술) 확산으로 커지는 스마트폰 발열 문제를 근본적으로 완화할 수 있다는 점에서 업계의 주목을 받고 있다.

◇ 발열 문제와 새로운 해법

플래그십 스마트폰은 애플리케이션 프로세서(AP) 위에 D램을 적층하는 PoP(Package on Package) 구조를 통해 성능을 끌어올린다.

그러나 기존에는 이 D램을 감싸는 소재(EMC)에 실리카가 사용돼 발열 억제에 한계가 있었다.

실리카는 모래와 유리의 주성분으로 값이 저렴하고 안정적이지만, 열 전달 성능이 낮아 최신 고성능 반도체에는 적합하지 않았다.

그 결과 AP에서 발생한 열이 D램에 그대로 쌓이며 발열과 성능 저하로 이어졌다.

SK하이닉스는 이를 해결하기 위해 실리카 대신 열전도율이 높은 알루미나를 혼합한 ‘High-K EMC’를 개발했다.

이 신소재는 열전도도를 기존 대비 3.5배 높였으며, 열이 위로 빠져나가는 경로의 저항을 47% 낮춰 발열 억제 효과를 크게 개선했다.

◇ 성능·배터리·사용자 체감 효과

방열 성능 향상은 △스마트폰 성능 유지 △배터리 지속시간 연장 △제품 수명 증가로 이어진다.

그동안은 패키징 구조나 공정 최적화를 통해 발열을 관리해왔지만, SK하이닉스는 소재 자체를 혁신해 문제를 풀어냈다는 점에서 차별성이 있다는 평가다.

이규제 SK하이닉스 부사장(PKG제품개발 담당)은 “이번 제품은 단순한 성능 향상을 넘어 고성능 스마트폰 사용자들의 불편을 덜어주는 데 의미가 있다”며 “소재 혁신을 기반으로 모바일 D램 시장에서 경쟁력을 공고히 하겠다”고 강조했다.

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